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浅谈平面光波导技术和应用 kNy,%8  
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　　随着FTTH的蓬勃发展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一，而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工艺和应用多种多样，本文略作介绍。 \ u+P52~  
1.平面光波导材料 &:3>1l_&5  
　　PLC光器件一般在六种材料上制作，它们是：铌酸锂（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅）、聚合物（Polymer）和玻璃，各种材料上制作的波导结构如图1所示，其波导特性如表1所示。 ">zRyA$  
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　　图1. PLC光波导常用材料 i0V(+F-  
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　　表1. PLC光波导常用材料特性 J/Mznk4O]  
　　铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 
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2.平面光波导工艺 a6KNQ ;U  
　　以上六种常用的PLC光波导材料中，InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作，铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作，下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例，介绍两类波导工艺。 * I
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　　二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示，整个工艺分为七步： pz7Kg{ ]
 
　　1)采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图2（b）所示； Z>z:th`K  
　　2)采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图2（c）所示； 5|0rY.Q+a  
　　3)通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图2（d）所示。 3@sOm*V/qJ  
　　4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图2（e）所示； Vv  0-dc  
　　5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图2（f）所示； X=[Ty%]  
　　6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图2（g）所示； Ia
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　　7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图2（h）所示。 zWT */03T?  
　　二氧化硅波导工艺中的几个关键点： xCO=`Tag  
　　1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应； e
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　　2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗； ,i|k/uZ~Z  
　　3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。 9_#h2eW?  
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　　图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 ZMN@O"  
　　玻璃光波导的制作工艺如图3所示，整个工艺分为五步： J,P~_  
　　1)在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图3（b）所示； w5V>&LZ^  
　　2)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图3（c）所示； yP5%Usp  
　　3)采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图3（d）所示； o_l4O=  
　　4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+离子的混合溶液中，在适当的温度下进行离子交换，如图3（e）所示，Ag+离子提升折射率，得到如图3（f）所示的沟道型光波导； /A)D<F &v  
　　5)对沟道型光波导施以电场，将Ag+离子驱向玻璃基片深处，得到掩埋型玻璃光波导，如图3（g）所示。 \KW4`.F_U  
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　　图3. 玻璃光波导的制作工艺 !$B-L#7  
3.平面光波导的应用 w _R ?  
　　铌酸锂晶体具有良好的电光特性，在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件，被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛，是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍，应用在需要热光调制的动态器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性，被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 )F C eoBE  
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　　图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 Bsy[I8X  
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　　图5. 基于玻璃光波导的光分路器 S|C&M,*Su  
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　　图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 Y
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　　图7. 基于聚合物光波导的VOA UsnR  
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　　图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       REl_U`>Km  
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　　随着FTTH的蓬勃发展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一，而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工艺和应用多种多样，本文略作介绍。 aqE*!_x|"T  
1.平面光波导材料 N@0>F!p  
　　PLC光器件一般在六种材料上制作，它们是：铌酸锂（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅）、聚合物（Polymer）和玻璃，各种材料上制作的波导结构如图1所示，其波导特性如表1所示。 0(wqB6l@  
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　　图1. PLC光波导常用材料 WH $D$L  
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　　表1. PLC光波导常用材料特性 U>86'u  
　　铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 e@`?6Vwzw  
2.平面光波导工艺 'g{ SZk  
　　以上六种常用的PLC光波导材料中，InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作，铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作，下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例，介绍两类波导工艺。 59}<RN#kb  
　　二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示，整个工艺分为七步： $QD?Xre\Z  
　　1)采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图2（b）所示； H+fg9  
　　2)采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图2（c）所示； ?r'*F%V
  
　　3)通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图2（d）所示。 -qQogMjR  
　　4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图2（e）所示； \!7?]{IS  
　　5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图2（f）所示； 9`;(.  
　　6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图2（g）所示； `Q']jy:  
　　7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图2（h）所示。 XQRH@Hl  
　　二氧化硅波导工艺中的几个关键点： 1iaimk`  
　　1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应； N$f4ur   
　　2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗； i-.[jPvL  
　　3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。 ZOxogz  
　　 Y<i{G|D  
　　图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 EkiklVs U  
　　玻璃光波导的制作工艺如图3所示，整个工艺分为五步： Jf*ih\'h  
　　1)在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图3（b）所示； ]BtEcia  
　　2)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图3（c）所示； /-~3=Y.  
　　3)采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图3（d）所示； [2W$FNrT  
　　4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+离子的混合溶液中，在适当的温度下进行离子交换，如图3（e）所示，Ag+离子提升折射率，得到如图3（f）所示的沟道型光波导； zO}4RW  
　　5)对沟道型光波导施以电场，将Ag+离子驱向玻璃基片深处，得到掩埋型玻璃光波导，如图3（g）所示。 7}xnfzE6a8  
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　　图3. 玻璃光波导的制作工艺 Sl_(;  
3.平面光波导的应用 }-!g) j  
　　铌酸锂晶体具有良好的电光特性，在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件，被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛，是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍，应用在需要热光调制的动态器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性，被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 %/%1u)zr\  
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　　图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 _DN4 h  
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　　图5. 基于玻璃光波导的光分路器 VP}3:X  
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　　图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 5^OIL{  
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　　图7. 基于聚合物光波导的VOA ewr?B S+F  
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　　图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       !cH@Up rn
 
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