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浅谈平面光波导技术和应用 w9O 'n`R^  
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　　随着FTTH的蓬勃发展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一，而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工艺和应用多种多样，本文略作介绍。 ={!sz*$  
1.平面光波导材料  vb5  
　　PLC光器件一般在六种材料上制作，它们是：铌酸锂（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅）、聚合物（Polymer）和玻璃，各种材料上制作的波导结构如图1所示，其波导特性如表1所示。 {YS;  
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　　图1. PLC光波导常用材料 r2S&toSj  
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　　表1. PLC光波导常用材料特性  `8dj^0  
　　铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 \bmFiG)  
2.平面光波导工艺 C.V",!N7M  
　　以上六种常用的PLC光波导材料中，InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作，铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作，下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例，介绍两类波导工艺。 Yz6<* FR  
　　二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示，整个工艺分为七步： p5['t_2Nk  
　　1)采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图2（b）所示； "p$69S~,]>  
　　2)采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图2（c）所示； G,h@H5IV  
　　3)通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图2（d）所示。 ^|Zs7 5][i  
　　4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图2（e）所示； Dmmzxn  
　　5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图2（f）所示； C_&^|p<WG  
　　6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图2（g）所示；
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　　7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图2（h）所示。 C9gk~dS;:  
　　二氧化硅波导工艺中的几个关键点： onv }$9$.?  
　　1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应； az| ~M~  
　　2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗； ao],~/fl  
　　3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。
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　　图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 nOS{9{hU  
　　玻璃光波导的制作工艺如图3所示，整个工艺分为五步： [.#Omg.Wx  
　　1)在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图3（b）所示； <3HLrD4  
　　2)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图3（c）所示； G\Y+u3BD  
　　3)采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图3（d）所示； //AJ#2UAo  
　　4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+离子的混合溶液中，在适当的温度下进行离子交换，如图3（e）所示，Ag+离子提升折射率，得到如图3（f）所示的沟道型光波导； e U{(t"
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　　5)对沟道型光波导施以电场，将Ag+离子驱向玻璃基片深处，得到掩埋型玻璃光波导，如图3（g）所示。 n)AUE2 P  
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　　图3. 玻璃光波导的制作工艺 =[ezrWQ  
3.平面光波导的应用 KkMk>(ns7  
　　铌酸锂晶体具有良好的电光特性，在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件，被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛，是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍，应用在需要热光调制的动态器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性，被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 %Ke"AU  
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　　图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 G^TCaPdyk  
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　　图5. 基于玻璃光波导的光分路器 }sQLyol}  
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　　图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 @(W,kTE1o  
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　　图7. 基于聚合物光波导的VOA *f;o0n  
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　　图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       &t&jT9V  
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　　随着FTTH的蓬勃发展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一，而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工艺和应用多种多样，本文略作介绍。 ORms-Gr  
1.平面光波导材料 `qaq,m&B-z  
　　PLC光器件一般在六种材料上制作，它们是：铌酸锂（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅）、聚合物（Polymer）和玻璃，各种材料上制作的波导结构如图1所示，其波导特性如表1所示。 B "I"2  
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　　图1. PLC光波导常用材料 'kPW!=d5  
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　　表1. PLC光波导常用材料特性 T0@B3<  
　　铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 J3e~R>$Y  
2.平面光波导工艺 irAz-=  
　　以上六种常用的PLC光波导材料中，InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作，铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作，下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例，介绍两类波导工艺。 Z[}@s  
　　二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示，整个工艺分为七步： \)Ez//3A,  
　　1)采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图2（b）所示； m=n\Z`a  
　　2)采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图2（c）所示； ekP5~N  
　　3)通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图2（d）所示。 et56,}Wbr  
　　4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图2（e）所示； e&[m{rD,i  
　　5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图2（f）所示； swb`*^
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　　6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图2（g）所示； ma.AMdAYf  
　　7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图2（h）所示。 s5E1/ko  
　　二氧化硅波导工艺中的几个关键点： :jCp$.Ea  
　　1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应； 9({sj+J'8  
　　2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗； (r?x*OyG  
　　3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。 0DiJo  
　　 *IR0Gd&^&  
　　图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 2qH,T}uG"  
　　玻璃光波导的制作工艺如图3所示，整个工艺分为五步： @^p|.8's  
　　1)在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图3（b）所示； [ZF72h  
　　2)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图3（c）所示； ]K}l $
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　　3)采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图3（d）所示； W/D#=%-  
　　4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+离子的混合溶液中，在适当的温度下进行离子交换，如图3（e）所示，Ag+离子提升折射率，得到如图3（f）所示的沟道型光波导； -D>(|Rv
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　　5)对沟道型光波导施以电场，将Ag+离子驱向玻璃基片深处，得到掩埋型玻璃光波导，如图3（g）所示。 :Tm}ScO  
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　　图3. 玻璃光波导的制作工艺 [e=v+yq  
3.平面光波导的应用 Et;{ X@v  
　　铌酸锂晶体具有良好的电光特性，在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件，被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛，是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍，应用在需要热光调制的动态器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性，被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 >nDbX~N_  
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　　图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 >|7:8A5  
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　　图5. 基于玻璃光波导的光分路器 Q2#Pw(gW  
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　　图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 !T',6\
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　　图7. 基于聚合物光波导的VOA \Zyk}jX  
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　　图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       1hblvi  
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