guru

浅谈平面光波导技术和应用 IKOQs2rA  
YYTWaq%B  
gZy:@{  
      E{dF -r'U  
　　随着FTTH的蓬勃发展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一，而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工艺和应用多种多样，本文略作介绍。 s< n!"  
1.平面光波导材料 H`? ;  
　　PLC光器件一般在六种材料上制作，它们是：铌酸锂（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅）、聚合物（Polymer）和玻璃，各种材料上制作的波导结构如图1所示，其波导特性如表1所示。 <tN*}(;'  
　　 5d0l$rFoX$  
　　图1. PLC光波导常用材料 +;D?8 U  
　　 i 6jgiUH  
　　表1. PLC光波导常用材料特性 :EOJl?AU  
　　铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 U+8 et]  
2.平面光波导工艺 D 3L%F  
　　以上六种常用的PLC光波导材料中，InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作，铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作，下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例，介绍两类波导工艺。 xk%{Wbi"T  
　　二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示，整个工艺分为七步： UJD]9  
　　1)采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图2（b）所示； fX5MT97  
　　2)采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图2（c）所示； NCoh"W  
　　3)通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图2（d）所示。 A>L SA!  
　　4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图2（e）所示； 81jLzEa  
　　5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图2（f）所示； VJ} pht  
　　6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图2（g）所示； 4<-MD.b  
　　7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图2（h）所示。 fTiV#lY*b  
　　二氧化硅波导工艺中的几个关键点： !qX#3ye  
　　1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应； Bf'<\L  
　　2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗； Or1JL|=a  
　　3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。 [ 6iRl{8  
　　 yQxRXu9  
　　图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 h=+Kx7  
　　玻璃光波导的制作工艺如图3所示，整个工艺分为五步： !$([)  
　　1)在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图3（b）所示； W yU,G  
　　2)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图3（c）所示； '6!/-B,W>  
　　3)采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图3（d）所示； 7DfV^\}_>  
　　4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+离子的混合溶液中，在适当的温度下进行离子交换，如图3（e）所示，Ag+离子提升折射率，得到如图3（f）所示的沟道型光波导； E6LW.6#R  
　　5)对沟道型光波导施以电场，将Ag+离子驱向玻璃基片深处，得到掩埋型玻璃光波导，如图3（g）所示。 x#Aw 'W\)  
　　 S6#33G!e  
　　图3. 玻璃光波导的制作工艺 "U94h\P b  
3.平面光波导的应用 v 3 nIIU  
　　铌酸锂晶体具有良好的电光特性，在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件，被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛，是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍，应用在需要热光调制的动态器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性，被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 ])<1YHnR  
　　 YF4(?lT  
　　图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 d$q?c/F^4  
　　 cU: ,q  
　　图5. 基于玻璃光波导的光分路器 KY}Mz  
　　 lZ ).an  
　　图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 Du*0z.xD  
　　 h|g>V,KG  
　　图7. 基于聚合物光波导的VOA t^<m  
　　 [#c66,.w  
　　图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       $;EU9#_  
            ep-_ Qp7%  
yb.z hGkW  
Y_q5Louh  
y X>!;_fm  
?}6\lU=T1  
      C)`
Qxed  
　　随着FTTH的蓬勃发展，PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一，而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG，其材料、工艺和应用多种多样，本文略作介绍。 8=]Xsm  
1.平面光波导材料 *`wrtGh  
　　PLC光器件一般在六种材料上制作，它们是：铌酸锂（LiNbO3）、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅（SiO2）、SOI（Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅）、聚合物（Polymer）和玻璃，各种材料上制作的波导结构如图1所示，其波导特性如表1所示。 o[);B-pu(  
　　 2?m*:I%%  
　　图1. PLC光波导常用材料 $HVG}H#P0  
　　 /C$#_$BR  
　　表1. PLC光波导常用材料特性 Wa !iC-aM  
　　铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导，波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层，以InGaAsP为芯层，以InP或者InP/空气为上包层，波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底，以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层，波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作，称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气，波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底，以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层，波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导，波导结构为扩散型。 )'& 4Nl  
2.平面光波导工艺 CiqCbn.!p  
　　以上六种常用的PLC光波导材料中，InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作，铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作，下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例，介绍两类波导工艺。 gwk(.og7wr  
　　二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示，整个工艺分为七步： ;dxp}D!  
　　1)采用火焰水解法（FHD）或者化学气相淀积工艺（CVD），在硅片上生长一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导下包层，如图2（b）所示；
vJ;* a`O  
　　2)采用FHD或者CVD工艺，在下包层上再生长一层SiO2，作为波导芯层，其中掺杂锗离子，获得需要的折射率差，如图2（c）所示； T@g$IKwB
v  
　　3)通过退火硬化工艺，使前面生长的两层SiO2变得致密均匀，如图2（d）所示。 KP=S&Y4rs  
　　4)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图2（e）所示； Sw~tzwM1,  
　　5)采用反应离子刻蚀（RIE）工艺，将非波导区域刻蚀掉，如图2（f）所示； k"H.  
　　6)去掉光刻胶，采用FHD或者CVD工艺，在波导芯层上再覆盖一层SiO2，其中掺杂磷、硼离子，作为波导上包层，如图2（g）所示； d' =&0N/  
　　7)通过退火硬化工艺，使上包层SiO2变得致密均匀，如图2（h）所示。 XwCNPw8'  
　　二氧化硅波导工艺中的几个关键点： ,l(?KwHe  
　　1)材料生长和退火硬化工艺，要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确，以达到设计的波导结构参数，尽量减少材料内部的残留应力，以降低波导的双折射效应； ]L
nw: w4  
　　2)RIE刻蚀工艺，要得到陡直且光滑的波导侧壁，以降低波导的散射损耗； Vh*\m+!B  
　　3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut，要控制Undercut量的稳定性，作为布版设计时的补偿依据。 x)_J0#-mq  
　　 G!"j!} LS  
　　图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 .WsT4VQ,(u  
　　玻璃光波导的制作工艺如图3所示，整个工艺分为五步： u]"i#']@  
　　1)在玻璃基片上溅射一层铝，作为离子交换时的掩模层，如图3（b）所示； >Q:N'sUe  
　　2)进行光刻，将需要的波导图形用光刻胶保护起来，如图3（c）所示； n:= #fsw.M  
　　3)采用化学腐蚀，将波导上部的铝膜去掉，如图3（d）所示； )]BVoTb-P  
　　4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+－Na+离子的混合溶液中，在适当的温度下进行离子交换，如图3（e）所示，Ag+离子提升折射率，得到如图3（f）所示的沟道型光波导； `aJz\-I  
　　5)对沟道型光波导施以电场，将Ag+离子驱向玻璃基片深处，得到掩埋型玻璃光波导，如图3（g）所示。 x:6{SK0/&  
　　 \vkdl)QE  
　　图3. 玻璃光波导的制作工艺 < ~EOBV![_  
3.平面光波导的应用 :\tH;Xcj  
　　铌酸锂晶体具有良好的电光特性，在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件，被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛，是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍，应用在需要热光调制的动态器件中，可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗，而且成本低廉，是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性，被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 9b(P-  
　　 J26cOmt.  
　　图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 *aTnG6Z&eu  
　　
M1}Sv  
　　图5. 基于玻璃光波导的光分路器 e-NA!j9  
　　 `APm;~AF~  
　　图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 K*aqO  
　　 |Sr q;wl  
　　图7. 基于聚合物光波导的VOA vS3=C0*  
　　 f6m"j"  
　　图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       -$7QqQ  
            05J>O|k.=  
{6\65}yW*