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2008-06-27

浅谈平面光波导技术和应用

浅谈平面光波导技术和应用 U/ A8tJS  
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  随着FTTH的蓬勃发展,PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一,而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG,其材料、工艺和应用多种多样,本文略作介绍。 E0~>WtM  
1.平面光波导材料 I:.6o 9yc  
  PLC光器件一般在六种材料上制作,它们是:铌酸锂(LiNbO3)、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅(SiO2)、SOI(Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅)、聚合物(Polymer)和玻璃,各种材料上制作的波导结构如图1所示,其波导特性如表1所示。 D* ] W0r  
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  图1. PLC光波导常用材料 +n>? cawF  
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  表1. PLC光波导常用材料特性 .3L57s")  
  铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导,波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层,以InGaAsP为芯层,以InP或者InP/空气为上包层,波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底,以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层,波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作,称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气,波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底,以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层,波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导,波导结构为扩散型。 W7Wh (pP  
2.平面光波导工艺 hrTF3,9H,  
  以上六种常用的PLC光波导材料中,InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作,铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作,下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例,介绍两类波导工艺。 K6bH rvP  
  二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示,整个工艺分为七步: JpP apWJf  
  1)采用火焰水解法(FHD)或者化学气相淀积工艺(CVD),在硅片上生长一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层,如图2(b)所示; aj,[+AHq  
  2)采用FHD或者CVD工艺,在下包层上再生长一层SiO2,作为波导芯层,其中掺杂锗离子,获得需要的折射率差,如图2(c)所示; Dte3Y~YJ  
  3)通过退火硬化工艺,使前面生长的两层SiO2变得致密均匀,如图2(d)所示。  3IB<f~  
  4)进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图2(e)所示; [0RuP-  
  5)采用反应离子刻蚀(RIE)工艺,将非波导区域刻蚀掉,如图2(f)所示; hg;] ?=JJ  
  6)去掉光刻胶,采用FHD或者CVD工艺,在波导芯层上再覆盖一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导上包层,如图2(g)所示; ^=Oq="  
  7)通过退火硬化工艺,使上包层SiO2变得致密均匀,如图2(h)所示。 1vFr<jV' ^  
  二氧化硅波导工艺中的几个关键点: X 3"e  
  1)材料生长和退火硬化工艺,要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确,以达到设计的波导结构参数,尽量减少材料内部的残留应力,以降低波导的双折射效应; \,ch B#Y^  
  2)RIE刻蚀工艺,要得到陡直且光滑的波导侧壁,以降低波导的散射损耗; ^o=G+-J  
  3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut,要控制Undercut量的稳定性,作为布版设计时的补偿依据。 [M[SC/Xin  
   gH "$+E|  
  图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 4<@D*d,  
  玻璃光波导的制作工艺如图3所示,整个工艺分为五步: ;/2i[%x  
  1)在玻璃基片上溅射一层铝,作为离子交换时的掩模层,如图3(b)所示; /cTr)*v  
  2)进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图3(c)所示; F'DBsMV#6p  
  3)采用化学腐蚀,将波导上部的铝膜去掉,如图3(d)所示; ErN|  
  4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+-Na+离子的混合溶液中,在适当的温度下进行离子交换,如图3(e)所示,Ag+离子提升折射率,得到如图3(f)所示的沟道型光波导; 8jc>,c.4K  
  5)对沟道型光波导施以电场,将Ag+离子驱向玻璃基片深处,得到掩埋型玻璃光波导,如图3(g)所示。 t\%NDm3d  
   Z,p"wN#|{  
  图3. 玻璃光波导的制作工艺 _QaNB/i/V  
3.平面光波导的应用 `4B]`WO  
  铌酸锂晶体具有良好的电光特性,在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件,被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛,是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍,应用在需要热光调制的动态器件中,可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗,而且成本低廉,是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性,被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 rM"_""^  
   N'eS[N8  
  图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 d/%^b/N4Z  
   r>56Jq:p6  
  图5. 基于玻璃光波导的光分路器 yvd>Z+< .  
   W(_d4u #N|  
  图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 >N|Q;iB  
   ypaGooT  
  图7. 基于聚合物光波导的VOA ($<WXw5  
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  图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       e![@9vY&Bw  
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  随着FTTH的蓬勃发展,PLC(Planar Lightwave Circuit,平面光路)已经成为光通信行业使用频率最高的词汇之一,而PLC的概念并不限于我们光通信人所熟知的光分路器和AWG,其材料、工艺和应用多种多样,本文略作介绍。 }d1 !L+  
1.平面光波导材料 0(fJK3,R^  
  PLC光器件一般在六种材料上制作,它们是:铌酸锂(LiNbO3)、Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物、二氧化硅(SiO2)、SOI(Silicon-on-Insulator, 绝缘体上硅)、聚合物(Polymer)和玻璃,各种材料上制作的波导结构如图1所示,其波导特性如表1所示。 Bs"&6/  
   ZXrCQaxGA  
  图1. PLC光波导常用材料 K|&qbJd#  
   0RCi00,_  
  表1. PLC光波导常用材料特性 xt c9|i  
  铌酸锂波导是通过在铌酸锂晶体上扩散Ti离子形成波导,波导结构为扩散型。InP波导以InP为称底和下包层,以InGaAsP为芯层,以InP或者InP/空气为上包层,波导结构为掩埋脊形或者脊形。二氧化硅波导以硅片为称底,以不同掺杂的SiO2材料为芯层和包层,波导结构为掩埋矩形。SOI波导是在SOI基片上制作,称底、下包层、芯层和上包层材料分别为Si、SiO2、Si和空气,波导结构为脊形。聚合物波导以硅片为称底,以不同掺杂浓度的Polymer材料为芯层,波导结构为掩埋矩形。玻璃波导是通过在玻璃材料上扩散Ag离子形成波导,波导结构为扩散型。 \7$"1{Z8r  
2.平面光波导工艺 Z&znP^00q  
  以上六种常用的PLC光波导材料中,InP波导、二氧化硅波导、SOI波导和聚合物波导以刻蚀工艺制作,铌酸锂波导和玻璃波导以离子扩散工艺制作,下面分别以二氧化硅波导和玻璃波导为例,介绍两类波导工艺。 \u~gWt: hz  
  二氧化硅光波导的制作工艺如图2所示,整个工艺分为七步: r8]7A  
  1)采用火焰水解法(FHD)或者化学气相淀积工艺(CVD),在硅片上生长一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导下包层,如图2(b)所示; s5AU^;hI  
  2)采用FHD或者CVD工艺,在下包层上再生长一层SiO2,作为波导芯层,其中掺杂锗离子,获得需要的折射率差,如图2(c)所示; a"HY`P%*  
  3)通过退火硬化工艺,使前面生长的两层SiO2变得致密均匀,如图2(d)所示。 =FmvT,ay  
  4)进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图2(e)所示; !@d.k7 Z`  
  5)采用反应离子刻蚀(RIE)工艺,将非波导区域刻蚀掉,如图2(f)所示; @qg,f  
  6)去掉光刻胶,采用FHD或者CVD工艺,在波导芯层上再覆盖一层SiO2,其中掺杂磷、硼离子,作为波导上包层,如图2(g)所示; $g=:% iv  
  7)通过退火硬化工艺,使上包层SiO2变得致密均匀,如图2(h)所示。 :do]w  
  二氧化硅波导工艺中的几个关键点: Q!MLimI.  
  1)材料生长和退火硬化工艺,要使每层材料的厚度和折射率均匀且准确,以达到设计的波导结构参数,尽量减少材料内部的残留应力,以降低波导的双折射效应; B?X6/xY2  
  2)RIE刻蚀工艺,要得到陡直且光滑的波导侧壁,以降低波导的散射损耗; \%G =`|~  
  3)RIE刻蚀工艺总会存在Undercut,要控制Undercut量的稳定性,作为布版设计时的补偿依据。 i~-? Z<.  
   (QK7v`  
  图2. 二氧化硅光波导的制作工艺 v 63;(grU  
  玻璃光波导的制作工艺如图3所示,整个工艺分为五步: Ogt?0!  
  1)在玻璃基片上溅射一层铝,作为离子交换时的掩模层,如图3(b)所示; WwXm 2'J  
  2)进行光刻,将需要的波导图形用光刻胶保护起来,如图3(c)所示; DRi 'g  
  3)采用化学腐蚀,将波导上部的铝膜去掉,如图3(d)所示; dEsi);  
  4)将做好掩模的玻璃基片放入含Ag+-Na+离子的混合溶液中,在适当的温度下进行离子交换,如图3(e)所示,Ag+离子提升折射率,得到如图3(f)所示的沟道型光波导; KQR*+4%TR  
  5)对沟道型光波导施以电场,将Ag+离子驱向玻璃基片深处,得到掩埋型玻璃光波导,如图3(g)所示。 eQy$eFRZ  
   F3s</P]A  
  图3. 玻璃光波导的制作工艺 |0-Q0Q  
3.平面光波导的应用 =z BXG  
  铌酸锂晶体具有良好的电光特性,在电光调制器中应用广泛。InP材料既可以制作光有源器件又可以制作光无源器件,被视为光有源/无源器件集成的最好平台。SOI材料在MEMS器件中应用广泛,是光波导与MEMS混合集成的优良平台。聚合物波导的热光系数是SiO2的32倍,应用在需要热光调制的动态器件中,可以大大降低器件功耗。玻璃波导具有最低的传输损耗和与光纤的耦合损耗,而且成本低廉,是目前商用光分路器的主要材料。二氧化硅光波导具有良好的光学、电学、机械性能和热稳定性,被认为是无源光集成最有实用前景的技术途径。 S]g6 "2*  
   Bh $J9  
  图4. 基于铌酸锂光波导的电光调制器 +DQ/F&  
   K`\C>exOxC  
  图5. 基于玻璃光波导的光分路器 {*zU@}~w  
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  图6. 基于聚合物光波导的热光开关阵列 $!(?S  
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  图7. 基于聚合物光波导的VOA vaL3v  
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  图8. 基于二氧化硅光波导的AWG       3/?O#(g1b  
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MSN:fengdou168@hotmail.com
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一共有 2 条评论
frank 2009-04-28 10:55 Says:
楼主图片没转过来?
sunny 2008-08-21 10:10 Says:
图片没啊?
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